【鉅亨網記者楊伶雯 台北】
中國大陸在NAND Flash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國半導體業揮軍全球的下一波焦點，TrendForce旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠三星、英特爾增加產能，預估2020年中國國內Flash月產能將增達59萬片，較2015年成長近7倍。
TrendForce預估2012～2016年NAND Flash生產端年平均位元成長率達47%，終端消費端需求年平均位元成長率高達46%，顯示NAND Flash仍是高速發展產業。
拓墣研究經理林建宏表示，中國在突破記憶體自製缺口的政策方針下發展Flash晶圓製造，可由NAND Flash產品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間，及國際半導體大廠在中國投資四大方向切入。
他指出，在NAND Flash產品特性(資金成本)上，產品在消費性應用下，價格是主要考量，因此生產成本的控制至為關鍵。中國廠商宜透過折舊認列年限調整、租賃、稅負與資金成本等因素操作為切入點。
至於3D NAND需求(製程微縮)上，Flash在進入2x奈米後，製程微縮帶來的成本優勢越來越不明顯，推遲國際Flash大廠技術進程，因此3D-NAND Flash成為成本繼續降低的重要方法。林建宏指出，產品由2D走到3D，需有新的技術領域加入，如果能整合跨領域人才和技術，能成為中國廠商追趕的機會。
林建宏認為，雖然Flash產業短期仍處於供過於求，但長期來看，新興市場仍有成長空間，中國隨一帶一路政策發展的策略，對開發其周遭新興市場需求有相當助益，妥善安排資源與發揮對新興國家的影響力，將是中國獨有的優勢所在。
由於國際半導體廠商積極投入中國，在當地培養有經驗和技術的人才，支持廠房運維的高度需求，有助降低中國發展自主Flash製造的門檻，林建宏表示，中國透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進駐，為中國發展Flash產業帶來最好機會。
今日點閱排行：
