【鉅亨網記者趙曉慧 台北】
聯電(2303-TW)(UMC-US)申請赴廈門參股投資聯芯公司12吋晶圓廠一案，經濟部投審會今(31)日表示，基於此案並在沒有技術外流疑慮，且在台灣有相對投資並增聘員工之前提下，同意聯電公司赴陸投資。
聯芯公司註冊資本額為20.7億美元，聯電5年內將出資13.5億美元，未來聯芯公司主要營收將來自40/55奈米製程技術，聯電將依規定向聯芯收取技術合作權利金。
投審會說，聯電表示這一次參股投資案的動機，主要是考量中國半導體內需快速成長之市場，及當地政府對於半導體產業的補貼賦稅優惠，以及採購規範限制等條件。
中國大陸具有廣大的半導體市場，晶片需求正快速成長，聯電此次赴陸參股投資晶圓製造廠，是為了爭取中國大陸晶片內需市場，以爭取商機、提前卡位。
此外，聯電此次赴陸參股投資，可取得當地政府相關政策優惠，目前半導體為中國大陸重點發展產業，當地企業從事晶圓製造可申請研發補助及租稅減免。
中國政府同時規定銀行IC卡需採用當地製造之晶片，聯電公司為爭取IC智慧卡之廣大市場及享有優惠措施，所以必須透過參股投資聯芯，取得參與中國政府標案之資格及優惠。
近年來因中國大陸半導體市場快速成長，全球半導體產業朝中國大陸移動之趨勢明顯，國際大廠如英特爾(Intel)、三星(Samsung)已陸續至中國大陸投資晶圓製造廠。
經濟部表示，台灣主要競爭對手皆已赴中國投資，相較於全球半導體之競爭，我國業者如能透過併購、投資參股等方式，掌握大陸之訂單及擴大業者掌控之產能，並利用其政策優惠取得全球半導體市場之有利地位，擴大市場占有率，將有利於我國廠商在全球及中國大陸的佈局。
台灣主要競爭對手三星(Samsung)，已赴陸投資最先進技術(12吋廠1X nm製程)，經濟部評估，聯電目前所擁有最佳技術僅為28奈米，此次赴陸投資更僅為40/55奈米，並無技術外流之疑慮，並符合「赴大陸併購、參股投資之製程技術須落後該公司在台灣之製程技術一個世代」之規定。
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