【記者羅蔚舟／竹科報導】
在半導體製造領域，英特爾一路以來擁有歷史與創新兼備的基礎，今(2021)年3底執行長基辛格（Pat Gelsinger）揭曉的全新IDM
2.0策略，英特爾「製造之路」邁開大步！英特爾今（7/27)日舉行線上記者會，首度詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃，並宣布一系列基礎創新，不僅為2025年及其之後的產品挹注強力成長動力，同時，英特爾公布其製程節點全新的命名結構，給予客戶更為精確的製程節點認知，重新定義並開啟半導體邁進埃米（angstrom）時代新頁！
「摩爾定律不死。英特爾對於下一個創新十年，規劃清晰的道路走向1奈米及其未來。我很喜歡這麼說，直到週期表上的元素用罄之前，摩爾定律並不會結束，我們將持續發揮矽的魔力以照亮創新道路。」英特爾執行長基辛格強調。
英特爾除首次發表2款突破式製程技術：RibbonFET為超過10年以來，英特爾首次全新電晶體架構，PowerVia則是業界首款由背部供電的方案。值得注意的是，英特爾強調迅速轉往下一世代EUV工具的計畫，稱之為高數值孔徑（High NA）EUV，英特爾有望獲得業界首款High NA EUV量產工具。英特爾也透過Foveros Omni和Foveros Direct，持續引領先進3D封裝創新的領先地位。
英特爾表示，產業早已意識到，目前以奈米為基礎的製程節點命名方式，並不符合自1997年起採用閘極長度為準的傳統。因此，英特爾今日公布其製程節點全新的命名結構，在進入半導體的埃米（angstrom）時代之際，英特爾創造清晰並具備一致性的架構，給予客戶更為精確的製程節點認知。
隨著英特爾成立Intel Foundry Services（IFS，英特爾晶圓代工服務），這種重要性更勝以往，英特爾執行長基辛格（Pat Gelsinger）表示：今天所揭曉的各種創新，不僅開展了英特爾的產品路線規劃，它們對於我們晶圓代工的客戶也相當重要。
英特爾技術專家們以新的節點命名方式，詳述下列未來製程與效能藍圖規劃，以及各節點所具備的創新技術：
◆Intel 7：植基於FinFET（鰭式場效電晶體）最佳化，相較Intel 10nm SuperFin每瓦效能可提升大約10％～15％。Intel 7將會使用在2021年的Alder Lake用戶端產品，以及2022年第一季量產的Sapphire Rapids資料中心產品。
◆Intel 4：全面使用極紫外光（EUV）微影技術，透過超短波長的光，印製極小的形狀。伴隨每瓦效能提升約20％，以及面積改進，Intel 4將於2022下半年準備量產，2023年開始出貨，client用戶端Meteor Lake和資料中心Granite Rapids將率先採用。
◆Intel 3：進一步汲取FinFET最佳化優勢與提升EUV使用比例，以及更多的面積改進，Intel 3相較Intel 4約能夠提供18％的每瓦效能成長幅度。Intel 3將於2023下半年準備開始生產。
◆Intel 20A：以RibbonFET和PowerVia這2個突破性技術開創埃米（angstrom）時代。RibbonFET為英特爾環繞式閘極（Gate All Around）電晶體的實作成果，亦將是自2011年推出FinFET後，首次全新電晶體架構。此技術於較小的面積當中堆疊多個鰭片，於相同的驅動電流提供更快的電晶體開關速度。PowerVia為英特爾獨特、業界首次實作的背部供電，藉由移除晶圓正面供電所需迴路，以達最佳化訊號傳遞工作。Intel 20A預計將於2024年逐步量產。英特爾也很高興公布Qualcomm將採用Intel 20A製程技術。
◆2025與未來：Intel 20A之後，改良自RibbonFET的Intel 18A已進入開發階段，預計於2025年初問世，將為電晶體帶來另一次的重大性能提升。英特爾也正在定義、建立與佈署下一世代的EUV工具，稱之為高數值孔徑EUV，並有望獲得業界首套量產工具。英特爾正與ASML緊密合作，確保這項業界突破技術能夠成功超越當代EUV。
擁有基礎製程創新的悠久歷史的英特爾，推動產業前進並破除限制，在90奈米領銜轉換至應變矽，於45奈米採用高介電常數金屬閘極，於22奈米導入鰭式場效電晶體，「Intel 20A」將會是另外一個製程技術的分水嶺，提供「RibbonFET」和「PowerVia」2個突破性創新。
對於實現摩爾定律優勢而言，英特爾新的IDM 2.0策略，封裝變得越來越重要。英特爾同時也宣布，AWS將是第一個採用IFS封裝解決方案的客戶，並同步提供下列先進封裝藍圖規劃的遠見。
